2008年5月21日水曜日

書き換え回数1億回以上、書き込み電圧6V以下を実証――産総研、やばいNAND型フラッシュメモリ開発

書き換え回数1億回以上、書き込み電圧6V以下を実証

これはSSDの時代が来ますな。。。
RAID0でx4のストライピング組んだらどうなっちゃうんでしょうか。

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